超高效48伏模塊是半導體公司針對數據中心研發的最新客戶產品 Transphorm Inc.是一家設計和製造最高可靠性產品的領先公司，其研發了第一台符合JEDEC-和AEC-Q101標準的高壓氮化鎵（GaN）功率半導體元件。目前，經證實，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）已開發出一種基於GaN的超高效功率模塊。3kW ZHR483KS採用Transphorm的GaN器件，效率達到98%，成為迄今為止電信行業效率最高的GaN驅動模塊。原始設計製造商（ODM）可以將提供標準化輸出連接器配置的ZHR483KS與現有的同功率模塊交換，從而以較低的總體系統成本實現高可靠性、高性能解決方案。 設定行業標杆 ZHR483KS是HZZH首個基於GaN的功率解決方案，也是新產品線的龍頭產品。該模塊的輸入電壓範圍為85伏至264伏，而其輸出電壓範圍為42伏至58伏。 Transphorm的TPH3205WS-GaN器件用於交錯無橋圖騰式PFC，以實現98%的半負載效率。 GaN器件降低了功率模塊的開關損耗和驅動損耗，因此ZHR483KS的性能優於以前使用超級結矽MOSFET的模塊。 HZZH首席技術官Guo博士表示：“我們在尋找一種功率晶體管，幫助我們為客戶開發一種更高效、更具成本效益的解決方案。我們曾考慮碳化矽器件，但在低電壓條件下無法達到預期優勢。然後，我們審查了幾家GaN製造商的器件，最終鑑於可靠性、器件成本和實現簡單，我們選擇了Transphorm的GaN場效應晶體管（FET）。” Transphorm的GaNFET是一種雙芯片增強型場效應晶體管，可採用標準的TO-XXX封裝和普通現成驅動器驅動的PQFN模塊。當前的Gen III系列提供了GaN半導體行業最高閾值電壓（4V）和最高門穩健性（±20V）。因此，客戶能夠輕鬆地設計出高可靠性的GaN解決方案，以實現該技術的高功率密度優勢。 Transphorm亞洲區銷售副總裁Kenny Yim說：“Transphorm在開發每一代GaN平台時都考慮了四個關鍵因素：可靠性、可驅動性、可設計性和可重複性。HZZH認為，我們的客戶打破市場需要這四個因素，因此選擇我們作為其GaN合作夥伴，於此，我們感到自豪。正是此次合作，我們的GaN被設計成各種不同的多千瓦電力系統，創造了行業記錄。我們預計，隨著我們未來在產品上的繼續合作，HZZH將繼續創新。” ZHR483KS目前正在生產中。 Transphorm, Inc.簡介…
Browsing: Transphorm
超高效48伏模块是半导体公司针对数据中心研发的最新客户产品 Transphorm Inc.是一家设计和制造最高可靠性产品的领先公司，其研发了第一台符合JEDEC-和AEC-Q101标准的高压氮化镓（GaN）功率半导体元件。目前，经证实，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）已开发出一种基于GaN的超高效功率模块。3kW ZHR483KS采用Transphorm的GaN器件，效率达到98%，成为迄今为止电信行业效率最高的GaN驱动模块。原始设计制造商（ODM）可以将提供标准化输出连接器配置的ZHR483KS与现有的同功率模块交换，从而以较低的总体系统成本实现高可靠性、高性能解决方案。 设定行业标杆 ZHR483KS是HZZH首个基于GaN的功率解决方案，也是新产品线的龙头产品。该模块的输入电压范围为85伏至264伏，而其输出电压范围为42伏至58伏。Transphorm的TPH3205WS-GaN器件用于交错无桥图腾式PFC，以实现98%的半负载效率。GaN器件降低了功率模块的开关损耗和驱动损耗，因此ZHR483KS的性能优于以前使用超级结硅MOSFET的模块。 HZZH首席技术官Guo博士表示：“我们在寻找一种功率晶体管，帮助我们为客户开发一种更高效、更具成本效益的解决方案。我们曾考虑碳化硅器件，但在低电压条件下无法达到预期优势。然后，我们审查了几家GaN制造商的器件，最终鉴于可靠性、器件成本和实现简单，我们选择了Transphorm的GaN场效应晶体管（FET）。” Transphorm的GaNFET是一种双芯片增强型场效应晶体管，可采用标准的TO-XXX封装和普通现成驱动器驱动的PQFN模块。当前的Gen III系列提供了GaN半导体行业最高阈值电压（4V）和最高门稳健性（±20V）。因此，客户能够轻松地设计出高可靠性的GaN解决方案，以实现该技术的高功率密度优势。 Transphorm亚洲区销售副总裁Kenny Yim说：“Transphorm在开发每一代GaN平台时都考虑了四个关键因素：可靠性、可驱动性、可设计性和可重复性。HZZH认为，我们的客户打破市场需要这四个因素，因此选择我们作为其GaN合作伙伴，于此，我们感到自豪。正是此次合作，我们的GaN被设计成各种不同的多千瓦电力系统，创造了行业记录。我们预计，随着我们未来在产品上的继续合作，HZZH将继续创新。” ZHR483KS目前正在生产中。 Transphorm, Inc.简介 Transphorm，Inc.（www.transphormusa.com）是GaN革命的全球领导者，专门设计和制造用于高压功率转换应用的最高性能、最高可靠性的高压GaN半导体。Transphorm拥有最大的功率GaN IP产品组合之一，生产了业界第一款符合GEDEC和AEC-Q101标准的GaN…